抛光硅片
描述
抛光硅片简介
大小1英寸到4英寸不等，厚度0.2mm、0.4mm、1mm、1.2mm等不同厚度，单面抛光。
抛光硅片参数及用途：
| 参数类型 | Si技术指标 |
| 产品尺寸 | 1-4英寸 |
| 生长方法 | 直拉单晶（Cz） |
| 表面抛光 | 单面抛光 |
| 直径公差 | 100.2±0.3mm |
| 掺杂类型 | 掺杂剂（磷或硼） |
| 晶体取向 | 100 111 |
| 电阻率Ω | ＜0.0015 Ω.cm 0.001-0.5Ω.cm 1-10Ω.cm |
| 平整度TIR | ＜3um |
| 翘曲度TTV | ＜10um |
| 弯曲度BOW | ＜10um |
| 抛光粗糙度Ra | ＜0.5nm |
| 颗粒度Pewaferr | ＜（for size＞0.3um） |
| 厚度um | 请咨询 |
| 用途 | 用于微流控芯片光刻工艺模具、工艺等同步辐射样品载体、LPCVD/PECVD镀膜做衬底、磁控溅射生长样品、XRD、SEM、AFM、红外光谱 荧光光谱等分析测试基底、分子束外延生长的基底、X射线分析晶体半导体等诸多科研用途。 |
可提供硅片如下，如有其它需求请咨询张工：18051487008！
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